all, ptw
[ Pobierz całość w formacie PDF ]
//-->1.Definicja optoelektronikidział elektroniki zajmujący się oddziaływaniem energii promieniowania i energii elektrycznej orazwykorzystaniem tego oddziaływania w systemach informacyjno-elektronicznych2.Apertura numeryczna światłowodumiara maksymalnego dopuszczającego kąta między wchodzącym do światłowodu promieniem światła aosią światłowodu (im większa NA tym więcej światła można wprowadzid do światłowodu)3.Definicja falowoduKanał w postaci np. rury metalowej lub pręta dielektrycznego do prowadzenia fal elektromagnetycznych wprzestrzeni wzdłuż określonej drogiW przypadku światłowodu jest to włokno szklane lub tworzywo sztuczne transmitujące światło dziękizachodzącym w nim wielokrotnym całkowitym wewnętrznym odbiciom.4.Definicja długości fali*określa właściwości fali eketromagnetycznej*jest to odległośd jaką fala elektromagnetyczna pokonuje w czasie jednego okresu5, 18.Przy rekombinacji promienistej muszą byd spełnione 1. 2.1. zasada zachowania pędu2. zasada zachowania energii6, 19.Foton padający na półprzewodnik może a) b) c)a) odbid sięb)przejśd przez ppc)ulec absorpcji7.Rozpływ prądu w laserach paskowych8. Dioda superluminescencyjna – cechy charakterystyczneStruktura diody superluminescencyjnej jest podobna diody krawędziowej i lasera połprzewodnikowego. Odlasera rożni się tym, że jeden z jej koocow ma duże straty optyczne, cozapobiega odbiciom, a w konsekwencji akcji laserowej.9.Rodzaje (typy) światłowodów (materiał, postad), podad odpowiadające im dane optycznePodstawowa klasyfikacja światłowodów (materiały)* SiO2 (domieszkowane)* inne szkła, np. ZBLAN (Zr, Ba, La, Al, Na)* materiały krystaliczne — szafir* światłowody polimerowe (plastikowe) (PMMA)* wielowarstwy epitaksjalne (np. GaAs/AlGaAs)* warstwy dielektryczne (Ta2O5, ZnO, Si3N4/SiO2)* warstwy polimerowe (PMMA, PS)Ze względu na strukturę, charakterystyki modowe czy stosowane materiały światłowody można dzielid nanastępujące grupy:* struktura: włókniste i planarne,* charakterystyka modowa: jednomodowe i wielomodowe,* rozkład współczynnika załamania w rdzeniu: skokowe oraz gradientowe,* materiał: szklane, polimerowe, półprzewodnikowe, ...* zastosowania: pasywne, aktywne, specjalne…10.Zalety detektorówduża sprawnośd kwantowaduża szybkośd działaniadobra ruchliwośdszerokie pasmo czułości widmowejduża niezawodnośddługi czas pracymałe rozmiaryodpornośd mechaniczna11.Przedstawid charakterystykę P-I dla diody LED oraz diody laserowej LD (osobne diagramy) orazzaznaczyd –prąd progowy lasera -różniczkową sprawnośd kwantową lasera -obszar modulacji cyfrowej ianalogowej laser12.Charakterystyka prądowo-napięciowa ogniwa słonecznego (zaznaczyd punkty charakterystyczne)13.Podad prawo Haitzastrumieo emitowany z LED podwaja się co 2lata, w tej dekadzie co 18m-ce14.Podad prawo Crafordawydajnośd LED wzrasta 10-krotnie w okresie 10 lat15.Jakie wydarzenia zapoczątkowało fotonikę (optoelektronikę)?pierwszych diod LED i LD z GaAs emitujące w bliskiej podczerwieni (870-980 nm) (Holonyak Jr. i Bavacqua)196216.Zjawisko wykorzystywane przy detekcji promieniowania optycznegowidmo fal elektromagnetycznych17.Laser VCSEL a laser krawędziowy (podobieostwa)wiązka eliptyczna lasera krawędziowegowiązka kołowa lasera VCSEL?30.Podstawowa różnica między laserem VCSEL a laserem krawędziowymVCSEL emisja promieniowania odbywa się w kierunku prostopadłym do płaszczyzny złączaKRAW. emisja promieniowania odbywa się w kierunku rownoległym do płaszczyzny złącza20.Kto w którym roku i w jakim materiale zaobserwował jako pierwszy zjawisko elektroluminescencyjne1907r Henry Round, kryształ węglika krzemu SiC21.Kwantowy laser kaskadowylasery półprzewodnikowe unipolarne. Źródła promieniowania z zakresu średniej i dalekiej podczerwieni;jeden układ materiałowy pozwala na generację promieniowania w szerokim zakresie spektralnym;potencjalna duża moc emitowania;duża niezawodnośd22.Przyrządy (struktury) RCEDiody Schottky’ego; -Diody p-i-n RCE ;-Diody APD;-Detektory MSM;-Detektory na strukturzeVCSEL; lasery typu VCSEL, RCE LED23.Definicja heterostrukturyzespół warstw: aktywnej (korzystnie typu MQW - z wielokrotną studnią kwantową) zwarstwami ograniczającymi typu n z jednej strony i typu p z drugiej, osadzony na podłożu iprzykryty warstwąpodkontaktową.24.Przykłady struktur niskowymiarowychstudnie kwantowe, kropki kwantowe, druty kwantowe, supersieci25.Współczynnik załamania światłan1 i n2 są współczynnikami załamania światła ośrodka pierwszego i drugiego, odpowiednio.26.Współczynniki transmisji i odbiciaWspółczynnik odbicia R jest funkcją kąta padania i może zależed też od długości fali:kącie padania równym 027.Parametry charakterystyczne detektorówWydajnosc kwantowaCzułoscMoc równowazna szumomGestosc strumienia równowazna szumomDetekcyjnosc/wykrywalnoscmaksimum charakterystyki widmowejwidmowy zakres pracyczestotliwosc granicznazakres dynamicznyczas odpowiedzi.28.Parametry charakterystyczne diod DELsprawnośd kwantowaSprawnośd energetycznaWspółczynnik wstrzykiwaniaWspółczynnik efektywności generacji światłaWydajnośd kwantowa wewnętrznaWspółczynnik wyprowadzenia światłaKąt granicznyWspółczynnik transmisji29.Zakres pasma widzialnego (długośd fali, energia lub częstotliwośd)= 0,38 ÷0,75 umhv = 3,3 ÷ 1,65 eV
[ Pobierz całość w formacie PDF ]